O chip tiristor quadrado é um tipo de chip tiristor e uma estrutura semicondutora de quatro camadas com três junções PN, incluindo porta, cátodo, bolacha de silício e ânodo.O cátodo, o wafer de silício e o ânodo são todos planos e quadrados.Um lado da bolacha de silício é preso com cátodo, outro lado é preso com ânodo, um orifício de chumbo é aberto no cátodo e o portão é disposto no orifício.A porta, o cátodo e a superfície do ânodo são revestidos com material de solda.Os principais processos de produção incluem: limpeza de wafer de silício, difusão, oxidação, fotolitografia, corrosão, proteção por passivação, metalização, teste e corte em cubos.
• ITAV=25A~200A,
• VRRM=1600V
• Portão de Canto Triângulo: ITAV=25A~60A
• Portão Central Redondo: ITAV=110A~200A
• mesa dupla
• O ânodo metalizado é um metal multicamada TiNiAg ou Al+TiNiAg
• Camada catódica metalizada é Al ou TiNiAg
• Difusão distribuída de alumínio, baixa queda de tensão no estado, alta tensão de bloqueio
• Forma de ângulo negativo duplo
• Material de proteção de passivação: SIPOS+GLASS+LTO
• Baixo IL e ampla aplicação
• Camada espessa de alumínio e fácil colagem
• Excelente consistência de gatilho
No. | Stamanho | Ssuperfície metálica | Gmodo comeu | Catual |
1 | 250mil | Multicamada Metalização | portão de canto | 25A |
2 | 300mil | portão de canto | 45A | |
3 | 370mil | portão de canto | 60A | |
4 | 480mil | portão central | 110A | |
5 | 590mil | portão central | 160A | |
6 | 710mil | portão central | 200A |
No. | Stamanho | LEngth (um) | Largura (um) | Tcaipira (um) | Gforma comeu | Gtamanho do comeu (um) |
1 | 250mil | 7000 | 6300 | 410 | Triângulo | Lado interno: 1310 |
2 | 300mil | 7600 | 7600 | 410 | Triângulo | Lado interno: 6540 |
3 | 370mil | 9800 | 9800 | 410 | Triângulo | Lado interno: 1560 |
4 | 480mil | 12300 | 12300 | 410 | Redondo | Diâmetro interno: 1960 |
5 | 590mil | 15200 | 15200 | 410 | Redondo | Diâmetro interno: 2740 |
6 | 710mil | 17800 | 17800 | 410 | Redondo | Diâmetro interno: 2740 |
No. | Stamanho | VGT | IGT | IH | IL | VTM | IDRM/IRRM(25℃) | IDRM/IRRM(125℃) | VDRM/ VRRM |
V | mA | mA | mA | V | uA | mA | V | ||
1 | 250mil | 0,7~1,5 | 20~60 | 40~120 | 60~150 | 1.8 | 10 | 8 | 1600 |
2 | 300mil | 0,7~1,5 | 10~80 | 40~120 | 60~150 | 1.8 | 50 | 10 | 1600 |
3 | 370mil | 0,6~1,3 | 10~80 | 40~100 | 50~120 | 1.8 | 50 | 10 | 1600 |
4 | 480mil | 0,8~2,0 | 20~120 | 60~250 | 300 | 1.8 | 100 | 20 | 1600 |
5 | 590mil | 0,8~2,0 | 20~150 | 60~250 | 350 | 1.8 | 100 | 30 | 1600 |
6 | 710mil | 0,8~2,0 | 20~150 | 60~250 | 350 | 1.8 | 100 | 30 | 1600 |