Tiristor de controle de fase (tipo liga)

Descrição:

Tiristor, também conhecido como Retificador de Controle de Silício (SCR), é um dispositivo semicondutor de alta potência que consiste em três estruturas PN.Em termos de desempenho, o tiristor não apenas possui condutividade unidirecional, mas também possui controlabilidade mais valiosa do que o elemento retificador de silício, que possui apenas dois estados de condução e estado desligado, para controlar grande potência com pequena potência, amplificação de potência de até centenas ou milhares de vezes.A reação é muito rápida, ligando e desligando em microssegundos.Operação sem contato, sem faíscas, sem ruído, com alta eficiência e baixo custo.Portanto, especialmente no sistema de alimentação de alta potência, o tiristor tem sido amplamente utilizado no circuito retificador, interruptor de bypass estático, interruptor de saída sem contato e outros circuitos.

O padrão de fabricação de tiristores e a tecnologia de processamento da RUNAU Electronics foram introduzidos nos EUA desde 1980, como pioneira na fabricação de tiristores na China, a equipe técnica da RUNAU adquiriu conhecimento de ponta e ampla experiência em fabricação por mais de 30 anos.Na base do processo de fabricação tradicional, os técnicos talentosos da RUNAU Electronics desenvolveram a tecnologia de ponta na fabricação de tiristores com características vantajosas dos produtos europeus, a qualidade e o desempenho são muito melhorados, mais grandes vitórias alcançadas na aplicação de eletrônica de potência campos, e mais valor foi criado para os parceiros.

Introdução:

1. Ficha

O chip tiristor fabricado pela RUNAU Electronics é a tecnologia de liga sinterizada empregada.O wafer de silício e molibdênio foi sinterizado para liga de alumínio puro (99,999%) sob alto vácuo e ambiente de alta temperatura.A administração das características de sinterização é o fator chave para afetar a qualidade do tiristor.O know-how da RUNAU Electronics, além de gerenciar a profundidade da junção da liga, o nivelamento da superfície, a cavidade da liga, bem como a habilidade de difusão total, porta central, padrão de círculo do anel, foram aplicados para permitir a operação de condução confiável e de alta eficiência do tiristor, a fim de garantir o desempenho de alta qualidade.

2. Encapsulamento

Ao controlar rigorosamente o nivelamento e o paralelismo do wafer de molibdênio e do pacote externo, o chip e o wafer de molibdênio serão integrados com o pacote externo de forma firme e completa.Isso otimizará a resistência da corrente de surto e alta corrente de curto-circuito.E a medição da tecnologia de evaporação de elétrons foi empregada para criar um filme de alumínio espesso na superfície do wafer de silício, e a camada de rutênio revestida na superfície de molibdênio aumentará muito a resistência à fadiga térmica, o tempo de vida útil do tiristor aumentará significativamente.

Especificação técnica

1. Tiristor controlado por fase com chip tipo liga fabricado pela RUNAU Electronics, gama de I_TAVde 300A a 6000A e V_DRM/V_RRMde 800V a 4400V.
2. I_GT, V_GTe eu_Hsão os valores de teste a 25 ℃, salvo indicação em contrário, todos os outros parâmetros são os valores de teste em T_jm;
3. I²t=eu²F SM×tw/2, tw= Largura base da corrente de meia onda senoidal.Em 50 Hz, eu²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Em 60Hz: I_FSM(8,3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;EU²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parâmetro: