Tiristor de Interruptor Rápido

Descrição:

Tiristor de comutação rápida, com a mesma estrutura e símbolo do tiristor de controle de fase, enquanto as melhores características estáticas, especialmente características dinâmicas, são exigidas pela aplicação de retificação, corte, inversor e circuito de conversão de frequência de alta frequência.Os parâmetros dinâmicos do tiristor rápido são velocidade de ativação rápida e velocidade de expansão de ativação, menos carga de recuperação reversa e tempo de desligamento curto, alta taxa crítica de aumento da corrente no estado (di/dt) e taxa crítica de aumento da tensão de estado desligado (dv/dt).A corrente nominal do tiristor rápido dentro da frequência nominal não diminui ou diminui um pouco quando a frequência aumenta.

O padrão de fabricação de tiristores de comutação rápida e a tecnologia de processamento da RUNAU Electronics foram introduzidos nos EUA desde 1980, como pioneira na fabricação de tiristores na China, a equipe técnica da RUNAU adquiriu conhecimento de ponta e ampla experiência em fabricação por mais de 30 anos.No básico do processo de fabricação tradicional, os técnicos talentosos da RUNAU Electronics desenvolveram a tecnologia de ponta na fabricação de tiristores com características vantajosas dos produtos europeus, a qualidade e o desempenho melhoraram muito, mais grandes vitórias alcançadas nas aplicações de eletrônica de potência, e mais valor foi criado para os parceiros.

Introdução:

1. Ficha

O chip tiristor fabricado pela RUNAU Electronics é a tecnologia de liga sinterizada empregada.O wafer de silício e molibdênio foi sinterizado para liga de alumínio puro (99,999%) sob alto vácuo e ambiente de alta temperatura.A administração das características de sinterização é o fator chave para afetar a qualidade do tiristor.O know-how da RUNAU Electronics, além de gerenciar a profundidade da junção da liga, o nivelamento da superfície, a cavidade da liga, bem como a habilidade de difusão total, o padrão circular do anel, a estrutura especial do portão.Além disso, o processamento especial foi empregado para reduzir a vida útil da portadora do dispositivo, de modo que a velocidade de recombinação da portadora interna seja bastante acelerada, a carga de recuperação reversa do dispositivo seja reduzida e a velocidade de comutação melhorada consequentemente.Tais medições foram aplicadas para otimizar as características de comutação rápida, características de estado ligado e propriedade de corrente de surto.A operação de desempenho e condução do tiristor é confiável e eficiente.

2. Encapsulamento

Ao controlar rigorosamente o nivelamento e o paralelismo do wafer de molibdênio e do pacote externo, o chip e o wafer de molibdênio serão integrados com o pacote externo de forma firme e completa.Isso otimizará a resistência da corrente de surto e alta corrente de curto-circuito.E a medição da tecnologia de evaporação de elétrons foi empregada para criar um filme de alumínio espesso na superfície do wafer de silício, e a camada de rutênio revestida na superfície de molibdênio aumentará muito a resistência à fadiga térmica, o tempo de vida útil do tiristor de troca rápida aumentará significativamente.

Especificação técnica

1. Tiristor de chave rápida com chip tipo liga fabricado pela RUNAU Electronics, gama de I_TAVde 200A a 4000A e V_DRM/V_RRMde 1200V a 4500V.
2. I_GT, V_GTe eu_Hsão os valores de teste a 25 ℃, salvo indicação em contrário, todos os outros parâmetros são os valores de teste em T_jm;
3. I²t=eu²F SM×tw/2, tw= Largura base da corrente de meia onda senoidal.Em 50 Hz, eu²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Em 60Hz: I_FSM(8,3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;EU²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parâmetro: